本发明属于充电技术领域,具体涉及一种无线充电线圈及其制备方法。背景技术:目前,无线充电线圈多采用漆包线缠绕或fpc(flexibleprintedcircuit,柔性电路板)的方式制造。其中,漆包线缠绕的无线充电线圈价格便宜、工艺简单,但是由于其材料结构和工艺方式的限制,难以制作厚度小于150微米以下的超薄线圈,这样无法放入手机等小型移动装置内,多是用于充电基座等空间限制较小的发射端;为了达到实际需要的合适阻值(一般要求
在操作过程中,线圈会发热,需要进行冷却以满足使用寿命和/或产量的要求。致动器线圈的寿命与线圈的温度直接相关。期望较冷的线圈来改善致动器寿命(减少灌封的热应力)和/或系统产量(增加的功率处理能力)和/或现有系统的重叠(减少的热变形)。未来的设计将提出更高的散热要求。因此,仍然需要提供表现出较低线圈温度的扁平线圈。常规扁平线圈的热性能通过经由机加工或其它方法去除在线圈的扁平端上的导体的一些部分和电绝缘材料的外层来得到改善,这导致了截去端部的扁平线圈。这种线圈的横截面在图4示出。可以看出,绝缘材料310和导体中的一些部分已从线圈110的顶表面和底表面去除。绝缘材料的去除促进了线圈110在使用中产生的热量的散发。层的去除消除了电导体与外部冷却器之间的热绝缘。这降低了线圈和线圈灌封的环氧树脂的温度。如果线圈是由传统的扁平线圈机加工而成的,则能够减小**终的厚度和平坦度公差。这允许减小灌封层的厚度,该灌封层的厚度通常用于吸收致动器组件中的公差。较薄的灌封也可改善冷却效果。绝缘层的去除减小了致动器的总厚度,这导致了其它益处。这允许多个轭磁体更靠近在一起,从而减少了边缘场。这提高了电机效率,因此需要的电流更少。万州区变压器线圈铝线圈的尺寸和形状可以根据具体需求进行定制,以满足不同的电路设计要求。
具体实施方式为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例**用以解释本发明,并不用于限定本发明。本发明提供的一种充电线圈加工方法包括步骤:采用激光沿着螺旋切割线将铜箔切割成螺旋状铜线;其中,切割过程中,所述激光以螺旋线行进轨迹沿着所述螺旋切割线运动。为了便于理解本发明的技术方案,需要对螺旋切割线和激光的螺旋线行进轨迹分别进行解释说明。图1为加工完成的充电线圈示意图,图2为局部放大示意图,相邻铜线1之间的间隙为螺旋切割线2。图3为激光的一种螺旋线行进轨迹,图中的行进轨迹为螺旋圆,较佳地,所述螺旋圆的直径大于等于(d+)mm,其中,d为所述螺旋切割线的线宽。还可以采用螺旋椭圆或其他的平滑的螺旋线代替,激光加工前,可以根据需要在激光加工设备上对螺旋线的形状进行编程设定,本发明不作限定。本发明中激光按照螺旋线行进轨迹运动,沿着螺旋切割线2对铜箔进行切割,如图4所示,得到充电线圈。采用螺旋线行进轨迹替代传统的线条轨迹进行激光切割加工,可以保证加工过程中线圈不同位置的反射性相同,切割出的铜线毛刺相对较少,线圈缝宽。
雕刻深度要求略大于铜厚,以线圈螺旋之间完全绝缘。3.在雕刻后的铜箔上表面,贴合一层厚度在5微米以下的绝缘膜:绝缘膜采用可采用pe、pet、pi等各类绝缘膜材,贴合过程采用热贴合,贴合温度不得高于衬底材料的t**,膜材结构可以露出或不露出内pad。4.剥离衬底材料,形成线圈结构根据衬底材料的可溶可熔特性剥离衬底材料,要求剥离环境不影响铜线圈和绝缘膜的材料;5.以下工艺不分先后:在剥离衬底材料的铜线圈表面真空贴合绝缘膜或印刷绝缘油墨(要求露出线圈外pad,如步骤3露出内pad,则此步骤不露出内pad,如步骤3未露出内pad,则此步骤露出内pad);铜线圈内pad处(露出部位)焊接单面导电铜胶带(胶带厚度小于25μm),从而实现单面导电铜胶带引出导线。以上所述*为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。立绕线圈可以用于制作各种电子设备中的滤波器、变压器、电感耦合器等。
大部分光束在第二部分中被朝向扫描仪215引导。例如,束分离装置260将光束210的一部分(例如1-2%)引导至量测系统270。束分离装置260能够是例如分束器。扫描仪215包括具有例如一个或更多个聚光透镜、掩模、掩模版和物镜布置的光学布置。掩模可沿一个或更多个方向移动,诸如沿光束210的光轴或在垂直于光轴的平面上。物镜布置包括投影透镜,并使得能够发生图像从掩模转印到晶片220上的光致抗蚀剂。照射器系统调整射到掩模上的光束210的角度范围。照射器系统还使横跨掩模的光束210的强度分布均匀化(使得均匀)。除其它特征部外,扫描仪215能够包括光刻控制器240、空调装置和用于各种电气部件的电源。光刻控制器240控制如何在晶片220上印制多个层。光刻控制器240包括存储器242,该存储器242储存诸如过程选配方案的信息,并且还可以储存关于可以使用或推荐如下文更***地描述的重复率的信息。晶片220被光束210照射。处理程序或选配方案确定晶片120上的曝光长度,所用的掩模以及影响曝光的其它因素。在光刻期间,光束110的多个脉冲照射晶片220的同一区域以构成照射剂量。照射同一区域的光束210的脉冲数n能够被称为曝光窗口或狭缝。耐高温线圈广泛应用于各种高温环境中,用于实现电能传输和信号传输等功能。万州区变压器线圈
立绕线圈在电子设备中具有广泛的应用,它可以作为电感器、变压器、滤波器等组件使用。常州双圈线圈价格
光刻系统200包括照射系统230。照射系统230包括光源205,光源205产生脉冲光束210,并将脉冲光束210引导至对晶片220上的微电子特征进行图案化的光刻曝光设备或扫描仪215。晶片220放置在晶片台222上,晶片台222构造成保持晶片220并连接到定位器,该定位器配置成根据某些参数准确地定位晶片220。光束210也被引导通过束准备系统212,束准备系统212能够包括修改光束210的多个方面的光学元件。例如,束准备系统212能够包括反射或折射光学元件、光脉冲展宽器和光学光阑(包括自动遮蔽件)。光谱特征选择系统250基于控制系统185的输入来微调光源205的光谱输出。光刻系统200使用具有例如在深紫外线(duv)范围或极紫外线(euv)范围内的波长的光束210。光刻系统100还包括测量(或量测)系统270和控制系统185。量测系统270测量光束的一个或更多个光谱特征(诸如带宽和/或波长)。量测系统270推荐地包括多个传感器。量测系统270接收被从束分离装置260改变方向的光束210的一部分,所述束分离装置260放置在光源205和扫描仪215之间的路径中。束分离装置260将光束210的***部分引导至量测系统270中,将光束210的第二部分朝向扫描仪215引导。在一些实施方式中。常州双圈线圈价格